10月11-13日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟舉辦的“第三屆第三代半導體材料及裝備發(fā)展研討會&第三代半導體材料與裝備展”在青島隆重召開。作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的會員單位，博電科技應邀參會，全方位展示了博電科技在功率半導體測試領域取得的技術成果。國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲，北京大學理學部副主任、聯(lián)盟副理事長沈波，中國電子科技集團公司第二研究所所長、聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭等來自產(chǎn)業(yè)鏈上下游的180多位專家學者及技術人員參會。

研討會由北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟于坤山秘書長主持。

▲于坤山秘書長致辭

本次研討會的專題討論環(huán)節(jié)，共分為襯底、外延、芯片、封裝、檢測技術路線與裝備選擇五個環(huán)節(jié)。檢測環(huán)節(jié)技術路線分析與裝備選擇專題的召集人之一——博電科技副總工程師杜科博士與大連理工學院王德君教授、中國電子科技集團公司第十三研究所翟玉衛(wèi)博士等專家圍繞靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)測試技術問題，SiC MOS柵氧缺陷參數(shù)分離如何實現(xiàn)，特殊要求的可靠性試驗難點等議題展開研討。

▲杜科博士和與會專家深入探討

同期展覽，博電科技在功率半導體測試領域的創(chuàng)新成果吸引業(yè)內(nèi)人士廣泛關注。

▲專業(yè)觀眾現(xiàn)場參觀PST6747A半導體測試系統(tǒng)

▲博電科技技術人員與專業(yè)觀眾深入探討

此次展覽，博電科技重點展示了依托中國制造實現(xiàn)進口替代的高端科學儀器—— PST6747A半導體測試系統(tǒng)。該系統(tǒng)可實現(xiàn)對IGBT、MOSFET、GTO等主流功率器件及GaN、SiC等第三代功率半導體器件的靜態(tài)全參數(shù)測試，該產(chǎn)品對標國際同類產(chǎn)品，是具有快脈沖寬電壓，精度分辨達f##電流檢測能力的功率半導體檢測設備。

第三代半導體是支撐下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉型升級的重點核心材料和關鍵電子元器件，全球產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，國際巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的完全壟斷，我國在應用領域有戰(zhàn)略優(yōu)勢，有機會實現(xiàn)核心技術突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領，重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。

在功率半導體測試領域，博電科技推出以高速高頻、高壓、大電流功率源為基礎、并結合高速高精度的高壓、大電流模擬采集技術及高速數(shù)字處理控制系統(tǒng)的智能測試平臺。該平臺根據(jù)不同需求可完成各類功率半導體器件、模塊、芯片的動態(tài)參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)，熱力參數(shù)及力學參數(shù)，功率壽命參數(shù)測試；是國內(nèi)相關研制生產(chǎn)單位的研發(fā)測試、工程驗收、出廠測試等領域進行自動測試的檢測平臺。

未來，博電科技將繼續(xù)提升自身技術，投入更大力量進行研發(fā)與創(chuàng)新，以高質高效的產(chǎn)品、解決方案與服務，進一步拓展博電科技在半導體的業(yè)務領域，助推中國功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。